氧化现象对芯片的性能、可靠性和寿命有重要影响，通常表现为局部颜色变化，如灰色斑点。
随着芯片层数不断增加，其结构日益复杂，如何在保证芯片完整性的前提下，准确观测内部氧化孔状态，成为行业关注的重点。
近红外显微镜技术为此提供了可行方案。
汇光MH系列近红外显微镜，采用了波长在700-1700纳米的近红外光，可以在不破坏产品的情况下穿透观察氧化孔，实现对芯片的无损检测。
普通显微镜的可见光波长在400-700纳米，看不到材料内部情况，而汇光MH系列近红外显微镜具有明显的技术优势。它不仅避免了传统制切割制样检测对样品的破坏，还能穿透多层层叠结构，准确锁定氧化孔位置，为芯片的可靠性分析与工艺优化提供参考依据。
目前，该技术已逐步应用于芯片研发与质量检测环节，帮助技术人员及早发现氧化缺陷，提升产品性能与稳定性。
随着芯片集成度持续提高，近红外显微镜将在半导体检测领域发挥更重要的作用，为推动芯片技术发展提供有效的分析支持。
