随着集成电路制造工艺持续演进，芯片内部结构的复杂性与封装密度不断提升，对缺陷检测技术提出了更高要求。在此背景下，红外显微镜技术凭借其独特的材料穿透能力，为解决芯片内部隐裂检测难题提供了有效的解决方案。
由于硅等半导体材料对可见光存在遮蔽效应，传统光学显微镜在检测芯片内部缺陷时面临局限。而红外光波段具备穿透硅基材料的特性，使得利用红外显微镜进行非破坏性内部观测成为可能。
常规可见光显微镜图像&红外显微镜图像
在具体应用中，红外显微镜技术可清晰呈现芯片内部存在的微裂纹、空洞、分层等隐蔽缺陷，为工艺改进与质量管控提供直观依据。该检测方式无需开封样品，有效保持了芯片结构的完整性与功能性，特别适用于失效分析、可靠性验证及科研实验等场景。
业内专家指出，这项检测技术的成熟应用将有助于提升芯片产品的可靠性验证水平，为半导体制造工艺优化与产品质量控制提供重要技术支撑。通过精准识别内部缺陷，企业能够在研发与生产阶段及时调整工艺参数，从源头提升产品良率。
由苏州汇光HGO自主研发的MH系列红外显微镜，以红外线不可见光为光源，能穿透1mm以内的硅材料，配备4寸/6寸/8寸/12寸移动行程载物台，通过红外相机，把图像补足后输出到电脑屏幕上，可以进行拍照、测量等，已在半导体研发制造、封装测试及科研机构等多个领域得到广泛应用，并获得一致好评，为行业质量管控体系的完善提供了新的技术路径。
随着第三代半导体材料的推广应用与芯片三维集成技术的发展，红外显微镜在新型半导体材料分析与复杂结构检测方面，展现出更广阔的应用前景。
